为碳化硅MOSFET逆变焊机提供整套解决方案

1. 应用优势

高效节能：

SiC MOSFET逆变频率（70kHz）显著高于IGBT（20kHz），能耗从2级提升至1级（GB 28736-2019标准）。

以NBC-500SiC焊机为例，效率达90.47%，相比IGBT焊机（86%），节电比例约9.8%，月省电费614.4元（每天8小时，电费1元/度），60天即可收回设备成本。

2. 核心技术参数对比

SiC vs IGBT：

SiC MOSFET导通损耗和开关损耗更低，适合高频应用。

FOM（优质系数，RDS(ON)⋅QG）优化：BASiC基本股份第二代B2M系列在通态损耗、开关损耗和可靠性方面优于前代。

国际竞品对比：

BASiC基本股份的B2M040120Z（平面槽工艺）与C***、O***等品牌性能接近，关断损耗低37%，但开通损耗高36%，综合损耗接近。

3. 产品选型与方案

分立器件与模块：

主电路原边逆变推荐：基本股份B2M系列（如B2M040120Z）或模块BMF系列（如BMF80R12RA3和BMF160R12RA3），覆盖250A~500A输出电流。

驱动板方案：BSRD-2427-E501（即插即用，支持1200V SiC MOSFET）。

工业模块亮点：

低导通电阻（如BMF240R12E2G3的5.5m）、集成SiC SBD（无反向恢复）、高可靠性（结温175℃）。

4. 驱动与米勒钳位技术

隔离驱动芯片：

BTD5350MCWR支持10A峰值电流，集成米勒钳位功能，抑制误开通。

测试显示，使用米勒钳位后，下管VGS波动从7.3V降至2V（无负压时）或从2.8V降至0V（带负压）。

关键优势：

驱动上升时间缩短（BASiC基本股份方案51.37ns vs 竞品123.9ns），降低开关损耗。

5. 测试与验证

波形对比：

在380V输入、250A负载下，BASiC基本股份驱动方案（BTD5350SCWR）的VDS关断尖峰与竞品持平（约650V），但开关速度更快，损耗更低。

高频能力：

SiC MOSFET支持焊机工作频率提升至70kHz，满足高频应用需求。

6. 辅助电源与封装

辅助电源方案：

采用1700V/600m SiC MOSFET（B2M600170R）搭配反激控制芯片BTP284xx，输出总功率50W。

封装多样性：

提供TO-247、TO-263、SOT-227等多种封装，适应不同散热和空间需求。

倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

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总结：BASiC基本股份通过优化SiC MOSFET的FOM、驱动方案和模块设计，显著提升逆变焊机的能效、频率和可靠性，同时降低使用成本，适用于工业焊接、光伏、充电桩等高功率场景。